[20a-A12-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20a-A12-8] RS-MBE法によるMg_xZn_1-xO薄膜の成膜とPt/Mg_xZn_1-xOショットキーフォトダイオードの作製

^○遠藤治之¹，大橋律男²，佐藤秀幸³，Mohamed Belmoubarik³，高橋強¹，野崎友大³，佐橋政司³，柏葉安兵衛⁴ (岩手県工技センタ¹，イーエムシー半導体²，東北大工³，岩手大⁴)

キーワード：Schottky photodiode,MgZnO