[20a-A25-6~13] 16.2 プロセス技術・デバイス

[20a-A25-10] 単結晶Si基板上に固相成長させた結晶SiGe薄膜に関する検討（2）

^○小島祐二¹，磯村雅夫^1,2 (東海大院工¹，東海大工²)

キーワード：SiGe,固相成長,Si基板