09:30 〜 11:30
△ [20a-PA2-4] InGaAS n-MOSFETにおけるドレイン電流解析モデルを用いた反転層移動度の抽出
キーワード：反転層移動度,InGaAs
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
[20a-PA2-1~11] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
2014年9月20日(土) 09:30 〜 11:30 PA2 (第1体育館)
ポスター掲示時間9:30～11:30(PA2会場)