[20p-A10-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20p-A10-5] Cu(Ag)/Ta₂O₅界面の酸化還元過程とフォーミングに対するTa₂O₅膜密度の影響

^○鶴岡徹^1,2，Ilia Valov^3,4，長谷川剛^1,2，Rainer Waser^3,4，青野正和¹ (物材機構¹，JST-CREST²，アーヘン工科大³，ユーリヒ研究機構⁴)

キーワード：原子スイッチ,酸化物,酸化還元過程