一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18p-E14-1~21] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月18日(火) 13:15 〜 18:45 E14 (E302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 11:45〜13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:30

[18p-E14-1] Chip-On-Wafer構造における張り合せSiチップ端近傍の歪分布

^○田岡紀之¹，中塚理¹，水島賢子^2,3，北田秀樹^2,3，KimYoungSuk³，中村友二²，大場隆之^3,4，財満鎭明¹ (名大院工¹，富士通研究所²，東工大³，東大⁴)

13:30 〜 13:45

[18p-E14-2] 金属ナノ粒子の電気泳動によるTSVへの高速埋め込みの基礎検討

^○多喜川良，仲原清顕，首藤高徳，池田晃裕，浅野種正 (九大)

13:45 〜 14:00

[18p-E14-3] 高速度カメラを用いた先鋭バンプの超音波接合のその場観察

^○首藤高徳^1,2，浅野種正¹ (九大¹，学振特別研究員DC²)

14:00 〜 14:15

[18p-E14-4] 先鋭バンプを用いた常温超音波接合の機構調査

^○岩鍋圭一郎，首藤高徳，浅野種正 (九大)

14:15 〜 14:30

[18p-E14-5] Au/SiO₂ハイブリッド接合を用いた3次元集積回路の試作

^○後藤正英¹，萩原啓¹，井口義則¹，大竹浩¹，更屋拓哉²，日暮栄治²，年吉洋²，平本俊郎² (ＮＨＫ技研¹，東大²)

14:30 〜 14:45

[18p-E14-6] 低温接着および厚膜マイクロ流路チャネル形成用感光性材料

^○稗田克彦¹，山口宙志¹，小宮全¹，宮崎智和²，SaraPeeters²，JohnO‘callghan³，KarolienJans³，ChengxunLiu³，LiesbetLagae³，ParuDeshpande³ (JSR¹，JSR Micro N.V.²，IMEC³)

14:45 〜 15:00

[18p-E14-7] ビーズを用いたPDMS製細菌捕獲チップの検討

^○林隆平¹，中澤寛一¹，西村祐典¹，石田誠¹，澤田和明¹，石井仁¹，町田克之^2,3，益一哉²，飯田健一郎⁴，齋藤光正⁴，吉田眞一⁴ (豊橋技科大¹，東工大²，NTTｱﾄﾞﾊﾞﾝｽﾃｸﾉﾛｼﾞ³，九大医学研究院⁴)

15:00 〜 15:15

[18p-E14-8] ビーズを用いた細菌検出センサの蛍光検出感度向上の検討

^○西村祐典 (豊橋技術科学大電気・電子情報工学課程)

15:15 〜 15:30

[18p-E14-9] 低温チップ直接接合の高強度接合化の検討

^○劉いん¹，永井秀樹¹，宇髙勝之¹，松島裕一²，笠原崇史¹，水野潤³ (早大理工¹，GCS機構²，早大ナノ理工学研究機構³)

15:30 〜 15:45

[18p-E14-10] 超小型LED励起蛍光検出モジュール

^○亀井利浩，住友慶子，辻村範行，小林健，前田龍太郎 (産総研)

15:45 〜 16:00

△ [18p-E14-11] 表面増強ラマン散乱を用いた歪Si異方性二軸応力のパターンサイズ依存測定

^○岩崎竜平，永田晃基，小瀬村大亮，小椋厚志 (明大理工)

休憩 16:00〜16:15 (16:00 〜 16:15)

16:15 〜 16:30

△ [18p-E14-12] 熱プラズマから発生した水素ラジカルによるグラニュー糖と混合したSiO₂の還元

^○（B）岡本裕二^1,2，鈴木義和²，鯉沼秀臣³，角谷正友¹ (物材機構¹，筑波大²，東大新領域³)

16:30 〜 16:45

△ [18p-E14-13] 局在プラズモン共鳴を用いたトランジスタチャネル領域最表面のラマン評価

^○木嶋隆浩，小瀬村大亮，シティノルヒダヤーモハメドユゾフ，山本章太郎，今井亮祐，小椋厚志 (明大理工)

16:45 〜 17:00

[18p-E14-14] 太陽電池用シリカ熱炭素還元プロセスにおける熱力学的考察

^○伊高健治 (弘前大新エネ研)

17:00 〜 17:15

△ [18p-E14-15] 太陽電池級シリカ還元プロセスにおける触媒探索

^○小笠原卓哉¹，アブドラハマンブスタ¹，佐藤裕之¹，古屋泰文¹，角谷正友²，鯉沼秀臣³，伊高健治¹ (弘前大¹，物材機構²，東大新領域³)

17:15 〜 17:30

[18p-E14-16] BST薄膜のLiTaO₃基板へのレーザー転写

^○佐本哲雄，引地広介，平野栄樹，田中秀治 (東北大)

17:30 〜 17:45

△ [18p-E14-17] Ge(111)基板上にエピタキシャル成長したGe_1-xSn_x膜の表面構造に与えるSnの影響

^○濱崎拡，株柳翔一，西村知則，長汐晃輔，鳥海明 (東大工)

17:45 〜 18:00

△ [18p-E14-18] 表面活性化ボンディング法によるSi/Si接合特性における熱処理依存性

^○森本雅史，梁剣波，西田将太，重川直輝，柴麗，竹村光司，林朋宏 (阪市大工)

18:00 〜 18:15

△ [18p-E14-19] 量子分子動力学法を用いたシリコン酸化膜のエッチングプロセスにおけるエッチャントの堆積機構に関する研究

^○（D）伊藤寿¹，桑原卓哉¹，樋口祐次¹，尾澤伸樹¹，寒川誠二²，久保百司¹ (東北大院工¹，東北大流体研²)

18:15 〜 18:30

[18p-E14-20] ナノシリコン弾道電子源を用いたSi, Ge, SiGe薄膜の堆積

^○須田隆太郎，八木麻実子，小島明，MentekRomain，白樫淳一，越田信義 (農工大・院・工)

18:30 〜 18:45

[18p-E14-21] 微細パターン形状の座屈不良に及ぼす寸法ばらつきの影響度解析

^○宇野澤圭佑，伊藤祥代，鈴木啓之 (東芝生産技術センター)