一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:00 D8 (D215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-D8-1] NO₂曝露・水素終端ダイヤモンド／Al₂O₃ヘテロ界面のバンド不連続の放射光XPS/UPS/XANES測定

^○嘉数誠¹，高橋和敏²，今村真幸²，平間一行³ (佐賀大院工¹，佐賀大シンクロトロン光応用研セ²，NTT物性基礎研³)

09:15 〜 09:30

△ [20a-D8-2] ダイヤモンドMOSFETの容量電圧特性の測定と解析

^○（B）原田和也¹，平間一行²，嘉数誠¹ (佐賀大院工¹，NTT物性基礎研²)

09:30 〜 09:45

[20a-D8-3] Siイオン注入を用いて作製したディプレッションモードGa₂O₃ MOSFET

^○東脇正高¹，佐々木公平^2,1，ワンマンホイ¹，上村崇史¹，キルシナムルティダイワシガマニ¹，倉又朗人²，増井建和³，山腰茂伸² (情通研機構¹，タムラ製作所²，光波³)

09:45 〜 10:00

▼ [20a-D8-4] Electron mobility of Sn-doped and Si-implanted n-type β-Ga₂O₃

^○ManHoiWong¹，上村崇史¹，佐々木公平^2,1，KrishnamurthyDaivasigamani¹，倉又朗人²，増井建和³，山腰茂伸²，東脇正高¹ (情通研機構¹，タムラ製作所²，光波³)

10:00 〜 10:15

[20a-D8-5] β-Ga₂O₃単結晶のホール電子濃度と移動度の測定と解析

^○（B）原田和也¹，松永晃和¹，飯塚和幸²，輿公祥²，倉又朗人²，嘉数誠¹ (佐賀大院工¹，タムラ製作所²)

休憩 10:15〜10:30 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

△ [20a-D8-6] 超高次非線形誘電率顕微鏡法によるSiC-DMOSFETの空乏層の可視化

^○茅根慎通¹，中村孝²，長康雄¹ (東北大通研¹，ローム²)

10:45 〜 11:00

[20a-D8-7] ATR-FTIR法を用いた熱処理によるLa2O3/SiC界面反応の解析

^○雷一鳴¹，宗清修¹，角嶋邦之¹，川那子高暢²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生¹，山川聡³，岩井洋¹，古橋壮之³，三浦成久³，名取研二¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，三菱電機³)

11:00 〜 11:15

[20a-D8-8] La-silicate界面層を用いたSiC-MOSキャパシタの容量電圧特性の評価

^○宗清修¹，雷一鳴¹，角嶋邦之¹，川那子高暢²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生¹，山川聡³，名取研二¹，岩井洋¹，古橋壮之³，三浦成久³ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，三菱電機³)

11:15 〜 11:30

△ [20a-D8-9] Si/SiO₂基板上での高移動度n型及びp型III-V族半導体トランジスタ

^○竹井邦晴^1,2，StevenChuang²，HuiFang²，MortenMadsen²，JunghyoNah²，RehanKapadia²，AliJavey² (大阪府大¹，カリフォルニア大バークレー校²)

11:30 〜 11:45

△ [20a-D8-10] InGaAs-HEMTにおける寄生遅延時間へのT型ゲート高さの影響

^○吉田智洋，小林健悟，畠山信也，尾辻泰一，末光哲也 (東北大通研)

11:45 〜 12:00

▲ [20a-D8-11] Enhancement of Breakdown Voltages in InP-based HEMTs with Tri-Layer Channel Structure

^○アミンエルムチョーキル，杉山弘樹，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研究所)