[17a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17a-E13-8] III族窒化物半導体埋込みトンネル接合による電流狭窄構造

^○桑野侑香¹，堀川航佑¹，森田隆敏¹，井野匡貴¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大・赤﨑記念研究センター²)

キーワード：トンネル接合,電流狭窄,窒化物半導体