14:30 〜 14:45
[17p-E10-6] ビス(2,4-ペンタジオナト)-ニッケル(II)水和物を用いたMOCVD法によるNiO薄膜の作製
キーワード：NiO,MOCVD,ニッケル水和物
講演情報
一般セッション(口頭講演)
合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス
[17p-E10-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス
2014年3月17日(月) 13:15 〜 15:45 E10 (E204)