[17p-E11-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[17p-E11-15] 結晶成長方法がGaAsN薄膜中の窒素原子に起因する局在電子準位の構造に与える影響

^○（D）丁文¹，森岡剛志¹，藤田尚紀¹，鈴木章生¹，鈴木秀俊¹，福山敦彦¹，山口真史²，碇哲雄¹ (宮崎大¹，豊田工大²)

キーワード：GaAsN,結晶成長方法,局在電子準位