[17p-PG3-1~30] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PG3-13] パルスレーザー蒸着法を用いたSnO_xN_y薄膜の合成と物性評価

^○山崎崇範¹，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，原山勲⁴，関場大一郎⁴，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，KAST²，JST-CREST³，UTTAC⁴)

キーワード：エピタキシャル