2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 絶縁膜技術

[18a-D8-1~12] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 D8 (D215)

10:00 〜 10:15

[18a-D8-5] SiO2, Si3N4, Si中の窒化種(NHx)の拡散と反応

中崎靖1,平野泉1,宮田正靖1,加藤弘一1,三谷祐一郎1,山下寛樹2,赤堀浩史2 (東芝研開セ1,東芝S&S社2)

キーワード:シリコン窒化膜,シリコン酸化膜,窒化種