2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 絶縁膜技術

[18a-D8-1~12] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 D8 (D215)

11:15 〜 11:30

[18a-D8-9] シリコン窒化膜の紫外光誘起電流に対する金属電極の仕事関数の影響

○(M1)鈴木亜嵐,小林清輝 (東海大院工)

キーワード:シリコン窒化膜,不揮発性メモリ,仕事関数