[18a-E10-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18a-E10-10] InGaZnOのN型化メカニズムに関する計算

^○中島基，広橋拓也，高橋正弘，山﨑舜平 (半エネ研)

キーワード：InGaZnO,第一原理計算