[18a-E8-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-E8-7] 界面制御に依るVO₂極薄膜の相転移温度変調

^○矢嶋赳彬，二宮裕磨，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明 (東大マテ)

キーワード：酸化物ヘテロ構造,金属絶縁体転移,Mottトランジスタ