[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

[18p-D8-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）High-k/Geゲートスタック界面特性向上に向けたゲート電極形成後熱処理条件の検討

^○田中亮平¹，秀島伊織¹，箕浦佑也¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，原子力機構²)

キーワード：Ge,high-k