2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術

[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 13:30 〜 17:30 D8 (D215)

17:00 〜 17:15

△ [18p-D8-14] 低界面準位とsub-nm CETを有するLa2O3/In0.53Ga0.47Asゲートスタックの実現

○（PC）ダリューシュハサンザデ1，大嶺洋1，角嶋邦之2，片岡好則2，西山彰2，杉井信之2，若林整2，筒井一生2，名取研二1，岩井洋1 (東工大フロンティア研1，東工大総理工2)

キーワード：InGaAs,high-k,Dit