[18p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E13-7] 第一原理計算によるC添加NaフラックスGaN成長過程の検討

^○河村貴宏^1,2，今林弘毅²，丸山美帆子²，今出完²，吉村政志²，森勇介²，森川良忠² (三重大院工¹，阪大院工²)

キーワード：GaN,第一原理計算