[18p-E5-1~11] 15.6 IV族系化合物

[18p-E5-2] 界面トラップによるクーロン散乱を取り入れたSiC-MOSFETのキャリア移動度モデル

^○野口弘樹，村上英一，園田優 (九州産業大)

キーワード：SiC-MOSFET,半導体