[19p-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D8-11] ドライエッチング面を有するAl₂O₃/AlGaN/GaN構造のMOS界面評価

^○谷田部然治¹，堀祐臣¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

キーワード：窒化物半導体,MOS,界面準位