[19p-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D8-6] GaNショットキーバリアダイオードの温度依存性モデル

^○大石敏之¹，山口裕太郎¹，大塚浩志¹，山中宏治¹，野上洋一¹，福本宏¹，宮本恭幸² (三菱電機¹，東工大²)

キーワード：GaN,ショットキーバリアダイオード