[19p-PG2-1~12] 13.2 絶縁膜技術

[19p-PG2-12] ALD-Al₂O₃/InGaAs界面への金属添加の効果

^○吉田俊幸 (島根大総理工)

キーワード：III-V族半導体,ALD,界面特性