[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-D8-10] InGaAs-HEMTにおける寄生遅延時間へのT型ゲート高さの影響

^○吉田智洋，小林健悟，畠山信也，尾辻泰一，末光哲也 (東北大通研)

キーワード：InGaAs-HEMT,遅延時間解析