2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:00 D8 (D215)

11:45 〜 12:00

▲ [20a-D8-11] Enhancement of Breakdown Voltages in InP-based HEMTs with Tri-Layer Channel Structure

○アミンエルムチョーキル，杉山弘樹，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研究所)

キーワード：HEMT, semiconductor, InP, breakdown, tri-layer