[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20a-D8-5] β-Ga₂O₃単結晶のホール電子濃度と移動度の測定と解析

^○（B）原田和也¹，松永晃和¹，飯塚和幸²，輿公祥²，倉又朗人²，嘉数誠¹ (佐賀大院工¹，タムラ製作所²)

キーワード：半導体,ワイドギャップ,酸化ガリウム