[20a-D9-1~10] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[20a-D9-2] Mg₂Si-Siヘテロ接合トンネルFET特性の構造依存性

^○呉研¹，長谷川明紀¹，角嶋邦之²，渡辺孝信³，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一夫¹，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，早大理工³)

キーワード：Tunneling FET,Semiconductor silicide