12:00 〜 12:15
▲ [20a-F10-12] Record-high Electron Mobility in Sub-nm EOT Ge n-MOSFETs with Y-doped GeO2 Interfacial Layer
キーワード:Ge,Mobility,EOT
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.5 Si-English Session
2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F10 (F406)
12:00 〜 12:15
キーワード:Ge,Mobility,EOT