10:15 〜 10:30
▼ [20a-F10-6] Electron Mobility and Leakage Current in Double-gated Ge Junctionless n-MOSFETs
キーワード:Germanium
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.5 Si-English Session
2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F10 (F406)
10:15 〜 10:30
キーワード:Germanium