[20p-D8-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [20p-D8-2] MOCVD成長InGaAsSbベースHBTの低ターン・オン電圧動作

^○星拓也，柏尾典秀，杉山弘樹，横山春喜，栗島賢二，井田実，松崎秀昭，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

キーワード：インジウムガリウム砒素アンチモン,有機金属化学気相堆積,ヘテロ接合バイポーラトランジスタ