[13a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-1D-11] 電場印加による六方晶窒化アルミニウム(h-AlN)のバンドギャップ変調

〇太田 優一¹ (1.都産技研)

キーワード：窒化アルミニウム、第一原理計算

窒化アルミニウム(AlN)はウルツ鉱構造を持つ半導体と知られているが、最近グラファイト状のh-AlNが報告された。この構造は窒化ホウ素(h-BN)と同じ結晶構造であり、外部電場によるバンドギャップ変調が可能であると考えられる。そこで本研究では第一原理計算によって外部電場によるh-AlNのバンドギャップ変調が可能かを検証した。