09:30 〜 09:45
[13a-1D-4] 成長条件遷移過程の最適化によるGaN/AlN界面急峻性及び光電極特性の向上
キーワード：GaN、分極、光電気化学
GaNからAlNへの成長条件遷移過程を最適化することで, GaN/AlN界面の急峻性向上及びGaN/AlN/GaN光電極の特性向上に成功したので報告する.
講演情報
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶
[13a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶
2015年9月13日(日) 08:45 〜 11:45 1D (141+142)
座長:平山 秀樹(理研),長谷川 繁彦(阪大)