[13a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-1D-7] AlGaN/GaNリセスTLMデバイス構造の電気特性評価

〇前田 就彦¹、廣木 正伸²、佐々木 智² (1.東京工科大工、2.NTT物性科学基礎研)

キーワード：半導体、GaN、ヘテロ構造

AlGaN/GaNヘテロ構造においてリセスを行ったTLMデバイスを作製し、AlGaN障壁層のリセスによる電気伝導特性への影響を調べた。その結果、オーミック電極下の構造は同一なままにもかかわらず、リセス構造においてはコンタクト抵抗が増大するという興味深い結果が得られた。