[13a-2J-1~11] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[13a-2J-7] 逆ペロブスカイト窒化物交換結合膜における電流誘起磁化スイッチング
の成長方位による影響

〇黒木 庸次¹、安藤 弘紀¹、河合 俊介¹、羽尻 哲也¹、植田 研二¹、浅野 秀文¹ (1.名大院工)

キーワード：逆ペロブスカイト窒化物磁性体、AMR、スピントランスファートルク