[13a-2Q-1~13] 6.4 薄膜新材料

△ [13a-2Q-8] 高品質SiC薄膜作製に向けたパルスレーザー液相エピタキシー装置の開発

〇(M1)山口 諒¹、小沼 碧海¹、丸山 伸伍¹、三谷 武志²、加藤 智久²、奥村 元²、松本 祐司^1,3 (1.東北大院工、2.産総研、3.JST-ALCA)

キーワード：SiC、半導体、エピタキシー

SiC薄膜作製の新しい手法として、本来温度勾配を結晶成長の駆動力とするフラックス法に、パルスレーザー堆積(PLD)法による気相原料供給を組み合わせ、濃度勾配を結晶成長の駆動力とするパルスレーザー液相エピタキシーを提案した。今回は、この新たな手法を可能にするパルスレーザー液相エピタキシー装置を立ち上げ、最も単純なSiのみからなるフラックスを用いて、本手法の有効性を検討した結果について報告する。