[13a-2S-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[13a-2S-4] アモルファスシリコンを用いた多層間伝送アポダイズドグレーティングカプラ

〇久能 雄輝¹、姜 晙炫¹、伊東 憲人¹、林 侑介¹、鈴木 純一¹、雨宮 智宏²、西山 伸彦¹、荒井 滋久^1,2 (1.東工大電電、2.量子ナノ)

キーワード：シリコンフォトニクス、グレーティングカプラ

オンチップ配線に用いる多層導波路間層間信号デバイスとして、金属ミラー装荷アモルファシリコングレーティングカプラを提案する。任意の層間距離で高効率伝送が可能なアポダイズドグレーティングカプラについて、今回実際に素子を作製したので特性を報告する。