[13a-2S-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [13a-2S-8] Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの直接変調応答

〇(D)井上 大輔¹、平谷 拓生¹、福田 快¹、冨安 高弘¹、雨宮 智宏²、西山 伸彦¹、荒井 滋久^1,2 (1.東工大電気電子、2.東工大量子ナノ)

キーワード：半導体薄膜レーザ、BCB貼り付け、直接変調

オンチップ光配線技術の実現に向けた極低消費電力光源として、我々は半導体薄膜構造による強光閉じ込め効果を用いた薄膜DFBレーザを提案してきた。今回、BCB貼り付け法によってSi基板に貼り付けをした薄膜DFBレーザの直接変調応答の測定を行い、バイアス電流1.03 mAにおいて-3dB帯域 9.5GHz、電流変調効率 としてDFBレーザとしては最も高い値である9.9 GHz/mA^1/2を得たのでご報告する。