[13a-2W-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[13a-2W-2] Formation of position-controlled pseudo-single crystal Ge on insulator by local gold-induced layer-exchange crystallization(<300℃)

〇(M1)rikuta aoki¹, Jong-hyeok Park^1,2, Masanobu Miyao¹, Taizoh Sadoh¹ (1.ISEE, Kyushu Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:gold-induced layer-exchange crystallization

Geの高いキャリヤ移動度や光吸収特性を活かした高性能フレキシブルエレクトロニクスの実現には、絶縁基板上の所定の位置に方位制御された大粒径(≥10 mm)を有するGe結晶 (擬似単結晶)を低温(≦300℃)で形成する技術の創出が必須である。今回、Au触媒を用いた低温層交換法の局所化による擬似単結晶Geの位置制御を検討したので報告する。