[13a-4C-1~12] 13.3 絶縁膜技術

△ [13a-4C-1] 電荷移動型分子動力学法によるSi/SiO₂界面酸化シミュレーション

〇(D)高本 聡¹、山崎 隆浩^2,3、大野 隆央^2,3,4、金田 千穂子^3,5、泉 聡志¹、酒井 信介¹ (1.東大工、2.物材機構、3.MARCEED、4.東大生産研、5.富士通研究所)

キーワード：分子動力学、酸化シミュレーション

本研究はSiの酸化プロセス解明のため，ボンドオーダーにイオン項を組み込んだ電荷移動型ポテンシャルを開発した．Si表面モデルにO₂分子を連続的に挿入し，SiO₂酸化膜の形成の動力学計算を行った．計算結果より，O₂分子のSiO₂中への侵入，界面でのO₂分子の解離と酸化膜の成長，余剰なSi原子の界面からの移動が確認された．また，SiO₂酸化膜について密度分布を計算し，実験値との傾向の一致を確認した．