10:45 〜 11:00
[13a-4C-7] 有効電荷ポテンシャルを用いた分子動力学シミュレーションによる
high-k/SiO2界面ダイポールの定量的再現
キーワード：high-k膜、ダイポール、分子動力学
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
[13a-4C-1~12] 13.3 絶縁膜技術
2015年9月13日(日) 09:00 〜 12:15 4C (432)
座長:渡邉 孝信(早大),右田 真司(産総研)