15:30 〜 16:00
[13p-1A-7] 遷移金属ダイカルコゲナイドの極薄ボディMOSFET応用
キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、電界効果トランジスタ
本報告では、遷移金属ダイカルコゲナイドのMOSFET応用について近年の研究動向を概観する。最後に、我々の研究成果としてHigh-k/Metalゲートを適用したMoS2 MOSFETのデバイス特性と、その実効移動度評価結果について紹介する。
シンポジウム(口頭講演)
シンポジウム » 機能性原子薄膜化合物材料の応用展開
2015年9月13日(日) 13:15 〜 18:15 1A (131+132)
座長:安藤 淳(産総研),吹留 博一(東北大)
15:30 〜 16:00
キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、電界効果トランジスタ