[13p-1A-1~15] 機能性原子薄膜化合物材料の応用展開

[13p-1A-8] 遷移金属ダイカルコゲナイドα-MoTe₂のショットキー接合における注入キャリアの極性

〇中払 周¹、山本 真人¹、上野 啓司²、林 彦甫¹、黎 松林¹、塚越 一仁¹ (1.物材機構、2.埼大院理)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、トランジスタ、ショットキー接合

将来の低消費電力LSIに期待される遷移金属ダイカルコゲナイドの半導体であるα-MoTe₂を用いたトランジスタの実現に向けて、金属コンタクトからのキャリア注入特性を調べた。特に、真性半導体に対して電子と正孔の両方を注入可能となるように、電子注入に適したTiと、正孔注入に適したPtを並列した構造のコンタクトを作製し、極性可変トランジスタ応用に必要な両極性伝導を実現した。