[13p-1C-1~15] 13.4 Si wafer processing /MEMS/Integration technology

[13p-1C-12] Tiny chamber- rapidly deposit/etch gases switching in shallow Bosch process

〇Hiroyuki Tanaka^1,2, Ogiso Hisato^1,2, Nakano Shizuka^1,2, Hayami Toshihiro^2,3, Miyazaki Toshiya^2,3, Tomisaka Kenichi^2,3, Tezen Hisamitsu^2,3, Khumpuang Sommawan^1,2, Hara Shiro^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPT)

Keywords:minimal Fab,MEMS,ICP

【従来】ボッシュプロセスは、ボッシュサイクル毎にスキャロップが発生する問題点があった。一方、ノンボッシュは、裾を引いたような形状となる問題があった。【本研究】では、極小チェンバーを用いた高速ガス置換によるスキャロップフリー形状と、対レジスト高選択比を維持した急峻なエッチング形状を実現した。このことにより、浅堀りプロセスへ適応したところミニマルリソグラフィの実効的な解像度を向上させることができた。