2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2015年9月13日(日) 13:15 〜 17:15 1C (135)

座長:鉄田 博(日新イオン機器),上野 和良(芝浦工大)

13:30 〜 13:45

[13p-1C-2] ミニマルファブによる素子分離プロセスを用いたリングオシレータの作製

〇居村 史人1,2、古賀 和博1,2、梅山 規男1,2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

キーワード:ミニマルファブ

論理回路の基本素子であるインバータ回路について抵抗負荷型pMOSインバータを作製することによって、ミニマルファブは十分なクリーン性能を有し、デバイスが作製できる製造システムであることを実証してきた。複数のトランジスタで構成された論理回路を動作させることは達成されていなかったため、SOIウェハを用いた素子分離プロセスにより、pMOSインバータで構成したリングオシレータを作製したので報告する。