2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)

座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)

13:30 〜 13:45

[13p-1D-2] 酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

〇斉藤 真1,2、包 全喜1,3、栗本 浩平1,3、冨田 大輔1、小島 一信1、山崎 芳樹1、鏡谷 勇二2、茅野 林造3、石黒 徹1、秩父 重英1 (1.東北大学　多元研、2.三菱化学（株）、3.（株）日本製鋼所)

キーワード：アモノサーマル、バルク、窒化ガリウム