[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-7] PECVD法により成膜したSiO₂マスクの品質がHVPE成長におけるGaNの選択成長に与える影響

〇(M1)板垣 憲広¹、河原 慎¹、山根 啓輔²、岡田 成仁¹、井本 良¹、本山 慎一³、小林 貴之³、只友 一行¹ (1.山口大学院理工、2.豊橋技術科学大学、3.サムコ株式会社)

キーワード：ハイドライド気相成長法、窒化ガリウム

GaNは現在の主流となっているSiに代わるパワーデバイス用半導体材料として期待されている。ハイドライド気相成長法（HVPE法）は高品質なGaN基板を得る成長方法の一つであるが、更なる転位密度の低減が求められている。高密度の転位を低減するための代表的な方法として選択成長法（SAG法）がある。そこで幅広いマスクを用いたSAG法では、成長領域を大幅に限定することができ、劇的な転位低減が期待できる。しかしながら、HVPE成長では、マスク上にGaNが堆積する可能性が高くなることを我々は報告してきた [1]。このマスク上に堆積したGaNはSAG法による転位低減の大きな妨げとなる。本研究はGaNテンプレート上へのSiO₂マスク成膜条件が、SiO₂マスクの品質及びHVPE法を用いたGaNの選択成長に与える影響について調査した。