[13p-2F-1~16] 3.7 レーザープロセシング

△ [13p-2F-10] フェムト秒レーザ照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール

〇滝谷 悠介¹、近藤 健太²、植木 智之³、田中 康弘⁴、富田 卓朗³、岡田 達也³ (1.徳島大院工、2.徳島大研究生、3.徳島大工、4.香川大工)

キーワード：シリコンカーバイド(SiC)、フェムト秒レーザ、拡散

Ni/SiC界面をフェムト秒レーザで照射した後，低温(300°Cまたは400°C)で短時間(60sまたは600s)アニールした．Ni薄膜とSiC基板の間には，Ni，Si，Cが相互拡散した中間層が形成され，TEM/制限視野回折(SAD)によりNiSiであると同定した．また，Ni薄膜表面を顕微ラマン分光法により解析したところ，レーザ照射部表面にグラファイトのピークが認められた．レーザ照射誘起ひずみが低温アニールに伴うC原子の拡散を促進した．