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△ [13p-2F-10] フェムト秒レーザ照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール
キーワード:シリコンカーバイド(SiC)、フェムト秒レーザ、拡散
Ni/SiC界面をフェムト秒レーザで照射した後,低温(300°Cまたは400°C)で短時間(60sまたは600s)アニールした.Ni薄膜とSiC基板の間には,Ni,Si,Cが相互拡散した中間層が形成され,TEM/制限視野回折(SAD)によりNiSiであると同定した.また,Ni薄膜表面を顕微ラマン分光法により解析したところ,レーザ照射部表面にグラファイトのピークが認められた.レーザ照射誘起ひずみが低温アニールに伴うC原子の拡散を促進した.