2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[13p-2F-1~16] 3.7 レーザープロセシング

2015年9月13日(日) 13:45 〜 18:15 2F (221-2)

座長:渡邉 歴(立命大),中村 大輔(九大)

16:15 〜 16:30

[13p-2F-10] フェムト秒レーザ照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール

〇滝谷 悠介1、近藤 健太2、植木 智之3、田中 康弘4、富田 卓朗3、岡田 達也3 (1.徳島大院工、2.徳島大研究生、3.徳島大工、4.香川大工)

キーワード:シリコンカーバイド(SiC)、フェムト秒レーザ、拡散

Ni/SiC界面をフェムト秒レーザで照射した後,低温(300°Cまたは400°C)で短時間(60sまたは600s)アニールした.Ni薄膜とSiC基板の間には,Ni,Si,Cが相互拡散した中間層が形成され,TEM/制限視野回折(SAD)によりNiSiであると同定した.また,Ni薄膜表面を顕微ラマン分光法により解析したところ,レーザ照射部表面にグラファイトのピークが認められた.レーザ照射誘起ひずみが低温アニールに伴うC原子の拡散を促進した.