[13p-2H-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [13p-2H-10] Sr_xBa_1-xPbO₃薄膜における電気伝導特性のSr組成依存性

〇宮川 智樹¹、塩貝 純一¹、塚崎 敦^1,2 (1.東北大金研、2.JST さきがけ)

キーワード：酸化物エレクトロニクス、金属絶縁体転移

BaPbO₃はペロブスカイト構造の半金属であり、BaサイトにSrを添加することで構造の歪みを伴いながらバンドギャップを開いて、金属-絶縁体転移を生じる。我々はSr_xBa_1-xPbO₃薄膜をPLD法で作製し、Sr組成に依存する金属-絶縁体転移を観測した。薄膜ではバルク体より高いSr組成まで金属的伝導を示した。この結果は面内格子定数がバルク体と異なることに起因すると考えられ、講演で詳細を議論する。