2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 原子・電子構造制御による次世代デバイス開発に向けた基礎研究と新展開 ―多元系化合物ベースの次期太陽電池・新規熱電物質・電子相関物質―

[13p-2M-1~14] 原子・電子構造制御による次世代デバイス開発に向けた基礎研究と新展開 ―多元系化合物ベースの次期太陽電池・新規熱電物質・電子相関物質―

2015年9月13日(日) 13:15 〜 18:30 2M (224-1(南側))

座長:杉山 睦(東京理科大),米田 稔(岡山理科大)

14:45 〜 15:15

[13p-2M-5] Cu2SnS3系薄膜太陽電池の現状

〇荒木 秀明1、金井 綾香1、江部 日南子1、神保 和夫1、片桐 裕則1,2 (1.長岡高専、2.JST-CREST)

キーワード:Cu2SnS3、太陽電池、薄膜

Cu2SnS3 (CTS)は,Cu, Sn, Sから成るp型の半導体であり,単斜晶構造においてEg = 0.9 - 1.0eVの禁制帯幅を持つ化合物半導体である。CTSは,レアメタルを一切含まず,豊富で安全な汎用材料のみから構成される新しいレアメタルフリー太陽電池材料である。我々はCu, Sn, Sの同時蒸着によるCTS薄膜を用いてSLG/Mo/CTS/CdS/ZnO:Al/Al構造の太陽電池セルを作製し,4.29%の光電変換効率を得た。本講演では,当研究室で行ってきたCTS系太陽電池のこれまでの開発と現状等について報告する。