[13p-2M-1~14] 原子・電子構造制御による次世代デバイス開発に向けた基礎研究と新展開 ―多元系化合物ベースの次期太陽電池・新規熱電物質・電子相関物質―

[13p-2M-6] CdSバッファ層成膜後高温アニールによるη=9.4%CZTS太陽電池

〇田島 伸¹、梅原 密大郎¹、三瀬 貴寛¹、長谷川 正樹¹、伊藤 忠義¹ (1.豊田中研)

キーワード：CZTS、太陽電池、CdS

CZTSセルの特性向上に対しては、CdS/CZTS界面が重要なキーポイントと考え、CdSバッファ層の厚さとCdS層成膜後のアニール条件を詳細に検討した。その結果、η=9.4%のCZTSセルを作製することができた。