[13p-PA1-1~33] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[13p-PA1-4] 追酸化処理MgOバリアMTJの繰り返し書き換え耐性

〇吉田 親子¹、能代 英之¹、山崎 祐一¹、杉井 寿博¹ (1.富士通)

キーワード：MgOバリア、Endurance特性

MgOバリアをスパッタ成膜後に後酸化することにより、高品質化する。このバリアの繰り返し書き換え耐性について調べ、後酸化なりのバリアに比べ書き換え耐性が飛躍的に向上することがわかった。また、1E16回の繰り返し反転が可能な電圧は、(+0.96/-1.06 V)で、このMTJの平均スイッチング電圧（+0.67/-0.75 V）に対してマージンがあることがわかった。